上市公司高管薪酬和企业业绩关系研究

本运用我国生物医药上市公司的经验数据考察高管薪酬与企业业绩的关系问题。研究的结果表明高管薪酬水平与企业业绩显正相关，高管团队内的薪酬差距也与企业业绩显正相关，而高管持股则与企业业绩负相关，在统计上不显。因此章建议企业应该考虑股权激励的成本和效果，改善股权激励制度。研究还表明企业追求的目标是规模最大化而不是股东净资产收益率最大化。     

睾酮类兴奋剂测定中一些β-葡萄糖醛酸甙酶酶解能力的比较

睾酮是国际奥委会规定禁用的99种兴奋剂之一,由于睾酮是内源性激素,因此不能靠定性来判断运动员是否服用了睾酮,在人体激素代谢中,产生睾酮差向异构体——表睾酮,在男性黄种人中睾酮与表睾酮浓度比约为1:1,白种人中略高一些,根据这一情况,国际奥委会规定,人尿中睾酮与表睾酮之间浓度比不得超过6:1,尿中排泄出的睾酮和表睾酮是以葡     

寡头垄断市场排污收费的政府调控模型

基于完全信息博弈理论,阐述了寡头垄断市场的排污收费古诺模型.建立了具有政府宏观调控机制的博弈模型,并对调控效果进行了分析.     

X波段介质和金属膜片混合加载行波加速结构的传播特性计算及模型腔的有关研究

计算了X波段(f=9.37GHz)介质和金属膜片混合加载行波加速结构的TM₀₁模和HEM₁₁模的色散曲线, 结果表明HEM₁₁模的截止频率比TM₀₁模的低, 说明与盘荷波导相比, 该种新加速结构单束团的BBU效应得到改善.实验研究优选得到了适用于该种新加速结构的介质(ε_r=5.812). 采用MAFIA程序优化设计了模型腔, 测试频率与设计的数值吻合得很好.     

单级A/O程序HSMBR系统性能和亚硝酸型SND

采用单级A/O程序复合膜生物反应器(HSMBR)处理高氨氮废水,研究了在低DO浓度下系统对有机物、氨氮和总氮的去除效率.研究结果表明:在低DO浓度下,COD,氨氮的平均去除率分别为94.4%和92.8%.由于进水COD/TN比仅为2.01,则使得总氮平均去除率仅为69.4%,但是当系统亚硝化累积率从60.5%～67.1%提高到83.5%～86.4%时,系统总氮去除率提高了17.7%.另外,DO在0.5～1.0 mg·L-1时,TN去除率为69.4%,亚硝酸盐氮累积率在60.5%～89.5%之间,可见维持低DO浓度可以实现亚硝酸型同时硝化反硝化.     

Linear Cavity Erbium—Doped Fibre Laser with Tunable Wavelength Range of 112nm

We report on a linear cavity erbium-doped fibre laser with a large tuning range of 1509-1621nm.We obtain a 1dB flat tuning range of 1538-1613 nm and a 3dB tuning range of 1516-1621 nm.The threshold at 1580 nm is 6.1mW,the slope efficiency is 0.193 and the output power is 18.2mW,when 100mW pump power at 1480nm is provided.High signal-to-noise ratios of better than 60 dB are achieved within all the tuning ranges.     

周期性分层介质高反射区范围的分析与估计

对于具有周期单元的分层介质材料高反射区的波长范围，提供一种简明的估计分析方法.基于Floquet定理，分析了有限周期单元分层介质的光子带隙特性，给出分层介质的高反射区波长范围.讨论了分层介质高反射区和周期单元禁带之间的关系.计算表明，高反射区和周期单元禁带的中心波长彼此一致.并且，随着分层介质周期单元数的增多，高反射区的深度和带宽就越接近于周期单元禁带的深度和宽度.最后，讨论周期分层介质的光子带隙特性与入射角及其与极化的变化关系. 关键词： 分层介质 带隙特性 周期单元 高反射区     

红外光谱预处理中去噪的研究

红外(IR)光谱由于包含了噪声等各种外界干扰因素.应该先进行光谱预处理,以便降噪,提高分析准确度.本文采用了一种基于最优小波包基的信号去噪算法,该算法根据最小代价原理,采用不同的阈值算法对光谱的高频和低频信号进行量化处理,用量化后的系数重构得到去噪信号,从而达到较好的去噪效果.实验表明,本方法处理后光谱曲线非常光滑、噪声消除效果明显.     

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点，对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正，提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型，用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线，重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应，在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在InGaAs沟道 关键词： 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟